世界首台晶体生长用环形永磁体研制成功

本报天津7月18日电记者蔺玉堂、通讯员杨勇从日前举行的“硅单晶等效微重力生长的永磁模拟及控氧机理的研究”鉴定会上获悉，世界首台晶体生长用环形永磁体在河北工大研制成功，从而攻破了困扰单晶硅拉制的氧含量问题，使我国单晶硅拉制技术前进了一大步。

随着电路集成度的不断提高，芯片的面积增大，这就要求作为芯片原料的单晶硅直径也越来越大。1996年，由河北工大徐岳生教授等承担的“硅单晶等效微重力生长的永磁模拟及控氧机理的研究”课题得到国家和河北自然科学基金资助。经过4年的攻关，该课题组研究制造了独特的具有稳定磁场的环形永磁体；设计了永磁体磁场分析软件；制造出首台永磁体直拉单晶炉；开发了硅单晶等效微重力环境下不同氧含量晶体生长的控制工艺。